收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A1
b1
b2
b3
b4
b5
c
D
D1
E
E1
H1
H2
H3
H4
K1
K2
K3
K4
M1
M2
M3
M4
P1
T1
T2
T3
T4
T5
θ
MIN.
0.75
0.00
0.48
0.41
2.19
0.89
0.23
0.20
6.00
5.74
5.01
4.75
0.23
0.45
0.31
0.45
4.22
1.08
1.37
0.24
4.30
3.43
0.22
0.05
0.15
3.48
0.56
1.20
3.90
0
0°
NOM.
0.80
-
0.58
0.51
2.29
1.04
0.33
0.25
6.15
5.89
5.16
4.90
-
-
0.41
-
4.37
1.13
-
-
4.50
3.58
-
-
0.20
3.64
0.76
-
-
0.18
10°
MAX.
0.85
0.05
0.68
0.61
2.39
1.19
0.43
0.30
6.30
6.04
5.31
5.05
-
0.56
0.51
0.56
4.52
1.18
-
-
4.70
3.73
-
-
0.25
4.10
0.95
-
-
0.36
12°
MIN.
0.030
0.000
0.019
0.016
0.086
0.035
0.009
0.008
0.236
0.226
0.197
0.187
0.009
0.018
0.012
0.018
0.166
0.043
0.054
0.009
0.169
0.135
0.009
0.002
0.006
0.137
0.022
0.047
0.153
0.000
0°
NOM.
0.031
-
0.023
0.020
0.090
0.041
0.013
0.010
0.242
0.232
0.203
0.193
-
-
0.016
-
0.172
0.044
-
-
0.177
0.141
-
-
0.008
0.143
0.030
-
-
0.007
10°
MAX.
0.033
0.002
0.027
0.024
0.094
0.047
0.017
0.012
0.248
0.238
0.209
0.199
-
0.022
0.020
0.022
0.178
0.046
-
-
0.185
0.147
-
-
0.010
0.161
0.037
-
-
0.014
12°
ECN: T-08441-Rev. C, 11-Aug-08
DWG: 5946
Notes
Millimeters govern over inches.
www.vishay.com
2
Document Number: 72945
Revision: 11-Aug-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIHF15N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
SIHF18N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
SIHF6N40D-E3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
SIHG20N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247
SIHG24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SIHP12N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHP30N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
相关代理商/技术参数
SIE848DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE850DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE850DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE854DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE854DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE860DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE860DF_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE860DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube